開關電源使用的是MOSFET結構的核心是金屬-氧化物-半導體電容，即MOS電容。MOS電容自身并不是一種廣泛應用的器件，但是卻是整個MOS晶體管的核心單元。開關電源之MOS中的金屬最初是鋁，現在大多數情況被沉積在氧化物上的多晶硅代替。

P型半導體的開關電源之MOS電容結構，頂端的金屬，稱為門極，相對于基底的P型半導體施加負向偏置電壓。門極的金屬端將聚集負電荷，同時呈現出電場。如果電場穿透半導體區(qū)域，P型半導體中的空穴會在電場力的作用下向氧化物-半導體界面移動。在氧化物-半導體的界面形成了帶正電的空穴聚集層，而在金屬端即門極形成了電子的聚集層，這和平板電容形成電場的機制相同。這也是開關電源之MOS電容形成的機理。

接下來將在開關電源之MOS電容的偏置電壓反向。在門極端聚集了正電荷，激發(fā)的電場方向發(fā)生了反轉。在這種狀況下，如果電場強度穿透半導體區(qū)域，那么P型半導體中的空穴受到電場力的作用而遠離氧化物-半導體界面。

空穴被驅離，從而在氧化物-半導體界面處形成負電荷的空間電荷層。門極施加的電壓值越高，感應電場越強。作為少子的自由電子被吸引到氧化物-半導體的交界處。形成少子載流子電子的區(qū)域稱為電子反轉層。

N型半導體形成的開關電源之MOS電容機制與P型半導體相類似?？碞型半導體MOS電容的結構示意圖，在門級施加正向偏置電壓時，在門級產生正電荷，感應產生出相應的電場；同時在氧化物-半導體界面處產生電子聚集層。

當在N型開關電源之MOS電容的門極施加反向偏置電壓時，感應電場在N型半導體的基底區(qū)域感應出正的空間電荷區(qū)。當施加的電壓增加時，在氧化物-半導體界面處產生正電荷區(qū)域，稱為空穴反轉區(qū)。
需要施加一定的電壓才能產生電荷反轉區(qū)的特性稱為增強模式。N型半導體基底的MOS電容需要在門極施加負電壓才能形成反轉區(qū)，而P型半導體基底的開關電源之MOS電容需要在門極施加正電壓。